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UJ4SC075018L8S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
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| 10+ | 22,020 $ |
| 25+ | 21,910 $ |
| 50+ | 21,810 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4SC075018L8S
Code Commande78AK8935
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id53A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance18mohm
Transistor Case StyleMO-299
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation349W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
53A
Drain Source On State Resistance
18mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
MO-299
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
349W
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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