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TSHG8200
Infrared Emitter, High Speed, 830 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 20 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,936 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 4000
Multiple: 4000
3 744,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantTSHG8200
Code Commande93K0966
Fiche technique
Peak Wavelength830nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)20mW/Sr
Rise Time20ns
Fall Time tf13ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.5V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Aperçu du produit
The TSHG8200 is an infrared, 830nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in Infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1¾
- Dimensions (in mm): DIA 5
- Peak wavelength: 830nm
- High radiant intensity
- Angle of half intensity ±10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 18MHz
- Good spectral matching with CMOS cameras
Spécifications techniques
Peak Wavelength
830nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
20ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
20mW/Sr
Fall Time tf
13ns
Forward Voltage VF Max
1.5V
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2019)
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Certificat de conformité du produit