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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,144 $ |
| 25+ | 0,067 $ |
| 100+ | 0,062 $ |
| 250+ | 0,060 $ |
| 500+ | 0,057 $ |
| 1000+ | 0,055 $ |
| 2500+ | 0,052 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. Fabricant1N4150-TR
Code Commande48F4703
Fiche technique
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage50V
Average Forward Current150mA
Forward Voltage Max1V
Reverse Recovery Time4ns
Forward Surge Current4A
Operating Temperature Max175°C
Diode Case StyleDO-204AH
No. of Pins2Pins
Diode MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 1N4150-TR is a small signal silicon epitaxial Planar Diode for high speed switch and general purpose.
- 600mA Average peak forward current
- 300mA Forward continuous current
Applications
Computers & Computer Peripherals, Industrial
Spécifications techniques
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
150mA
Reverse Recovery Time
4ns
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Repetitive Peak Reverse Voltage
50V
Forward Voltage Max
1V
Forward Surge Current
4A
Diode Case Style
DO-204AH
Diode Mounting
Through Hole
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits