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BPW16N
Phototransistor, 825 nm, 40 °, 100 mW, 2 Pins, T-3/4 (1.8mm)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,170 $ |
| 10+ | 0,809 $ |
| 25+ | 0,737 $ |
| 50+ | 0,666 $ |
| 100+ | 0,594 $ |
| 500+ | 0,497 $ |
| 1000+ | 0,438 $ |
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Aperçu du produit
The BPW16N is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear, plastic package with flat window. It is sensitive to visible and near infrared radiation. On PCB this package size enables assembly of arrays with 2.54mm pitch. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±40° Angle of half sensitivity
Applications
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control
Spécifications techniques
Wavelength Typ
825nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-3/4 (1.8mm)
MSL
-
Viewing Angle
40°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (16-Jan-2020)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour BPW16N
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (16-Jan-2020)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits