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IRF520PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF520PBF-BE3
Code Commande78AH6374
Gamme de produitIRF520 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
300 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,120 $ |
| 10+ | 1,220 $ |
| 25+ | 1,150 $ |
| 50+ | 1,090 $ |
| 100+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,964 $ |
| 1000+ | 0,919 $ |
| 2500+ | 0,894 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,12 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF520PBF-BE3
Code Commande78AH6374
Gamme de produitIRF520 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
On Resistance Rds(on)0.27ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeIRF520 Series
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Product Range
IRF520 Series
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
On Resistance Rds(on)
0.27ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits