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IRF540PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,660 $ |
| 10+ | 2,530 $ |
| 25+ | 2,030 $ |
| 50+ | 2,020 $ |
| 100+ | 2,010 $ |
| 500+ | 1,920 $ |
| 1000+ | 1,730 $ |
| 2500+ | 1,510 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF540PBF
Code Commande63J7322
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.077ohm
On Resistance Rds(on)0.077ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF540PBF is a 100V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 175°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.077ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits