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IRF610PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,170 $ |
| 10+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,991 $ |
| 50+ | 0,936 $ |
| 100+ | 0,880 $ |
| 500+ | 0,832 $ |
| 1000+ | 0,791 $ |
| 2500+ | 0,769 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF610PBF
Code Commande63J7327
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit