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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,200 $ |
10+ | 1,130 $ |
25+ | 0,846 $ |
50+ | 0,829 $ |
100+ | 0,829 $ |
500+ | 0,827 $ |
1000+ | 0,827 $ |
2500+ | 0,783 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,20 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF610PBF.
Code Commande27AC6874
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.3A
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd36W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
36W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit