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IRF620PBF-BE3
N CHANNEL
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBF-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande11AN4600
Votre numéro de pièce
900 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,960 $ |
| 10+ | 1,970 $ |
| 100+ | 1,400 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1000+ | 1,140 $ |
| 2500+ | 1,120 $ |
| 10000+ | 1,090 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,96 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBF-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande11AN4600
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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