Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
Distribué par Avnet
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,380 $ |
10+ | 1,220 $ |
25+ | 0,847 $ |
50+ | 0,809 $ |
100+ | 0,787 $ |
500+ | 0,736 $ |
1000+ | 0,704 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,38 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBF.
Code Commande26AC0601
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contribute to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
50W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit