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IRF620STRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 1,640 $ |
| 2400+ | 1,570 $ |
| 4800+ | 1,510 $ |
| 9600+ | 1,480 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 800
Multiple: 800
1 312,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620STRLPBF
Code Commande41K2316
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit