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Quantité | Prix |
---|---|
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10+ | 1,520 $ |
25+ | 1,460 $ |
50+ | 1,390 $ |
100+ | 1,330 $ |
500+ | 1,280 $ |
1000+ | 1,240 $ |
2500+ | 1,210 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF9510PBF
Code Commande63J7426
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd43W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
43W
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit