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IRF9630PBF
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,410 $ |
| 2500+ | 2,210 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF9630PBFCopie
Code Commande63J7435
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id6.5A
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd74W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF9630PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
74W
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit