Imprimer la page
IRFB11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
318 En Stock
Vous en voulez davantage ?
39 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
279 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,040 $ |
| 10+ | 1,040 $ |
| 25+ | 1,040 $ |
| 50+ | 1,040 $ |
| 100+ | 1,040 $ |
| 500+ | 1,040 $ |
| 1000+ | 1,040 $ |
| 2500+ | 1,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,04 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFB11N50APBF
Code Commande38K2474
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
On Resistance Rds(on)0.52ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
Power Dissipation Pd170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Power MOSFET suitable for use in switch mode power supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching. Applicable for line SMPS tropologies are two transistor forward, half and full bridge and power factor correction boost.
- Low gate charge Qi results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dot ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.52ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit