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IRFB9N65APBF
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 8.5 A, 0.93 ohm, TO-220, Through Hole
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFB9N65APBF
Code Commande56AJ9864
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.93ohm
On Resistance Rds(on)0.93ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation167W
Power Dissipation Pd167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.93ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
On Resistance Rds(on)
0.93ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
167W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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