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IRFBF20PBF
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,580 $ |
| 10+ | 2,230 $ |
| 25+ | 1,810 $ |
| 50+ | 1,810 $ |
| 100+ | 1,810 $ |
| 500+ | 1,810 $ |
| 1000+ | 1,740 $ |
| 2500+ | 1,690 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,58 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFBF20PBF
Code Commande38K2469
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.7A
On Resistance Rds(on)8ohm
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation54W
Power Dissipation Pd54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- N-channel Power MOSFET in TO-220AB package
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
54W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit