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IRFIBF30GPBF
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.9 A, 3.7 ohm, TO-220FP, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 62 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 3,260 $ |
| 2500+ | 3,090 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
3 260,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFIBF30GPBF
Code Commande63J6735
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance3.7ohm
On Resistance Rds(on)3.7ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd35W
Transistor Case StyleTO-220FP
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
3.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
35W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
3.7ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit