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IRFPC40PBF.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6.8 A, 1.2 ohm, TO-247, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,730 $ |
| 10+ | 2,700 $ |
| 30+ | 2,670 $ |
| 50+ | 2,650 $ |
| 100+ | 2,600 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFPC40PBF.
Code Commande29AC7048
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFPC40PBF is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. This third generation Power MOSFET from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low ON-resistance. It also provides greater creepage distance between pins to meet the requirements of most safety specifications.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit