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IRFPG30PBF
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,940 $ |
| 10+ | 3,090 $ |
| 25+ | 3,060 $ |
| 50+ | 3,030 $ |
| 100+ | 3,010 $ |
| 500+ | 2,950 $ |
| 1000+ | 2,940 $ |
| 2500+ | 2,920 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFPG30PBF
Code Commande01AC4882
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3.1A
On Resistance Rds(on)5ohm
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Third generation Power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dot rating
- Repetitive avalanche rated
- Isolated central mounting hole
- Fast switching
- Ease of Paralleling
- Simple drive requirements
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit