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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,330 $ |
| 5000+ | 1,260 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 990,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFR9210PBF
Code Commande63J7013
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance3ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFR9210PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Surface-mount
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
25W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRFR9210PBF
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit