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IRFSL9N60APBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-262, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 1,940 $ |
| 2500+ | 1,920 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
1 940,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFSL9N60APBF
Code Commande63J7029
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9.2A
On Resistance Rds(on)0.75ohm
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd170W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-262
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.75ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-262
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Power Dissipation Pd
170W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit