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IRFZ40PBF.
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220, Through Hole
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFZ40PBF.
Code Commande26AC0569
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFZ40PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :Lead
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