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MXPQ120A045SE-1GE3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 52A, TO-263
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantMXPQ120A045SE-1GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande11AN6866
Gamme de produitMaxSiC Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,110 $ |
| 10+ | 12,740 $ |
| 25+ | 12,040 $ |
| 50+ | 11,330 $ |
| 100+ | 10,630 $ |
| 250+ | 10,050 $ |
| 500+ | 9,460 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
17,11 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantMXPQ120A045SE-1GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande11AN6866
Gamme de produitMaxSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id52A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.056ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation268W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
0.056ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
268W
Product Range
MaxSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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