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SI1021R-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,862 $ |
| 25+ | 0,574 $ |
| 50+ | 0,515 $ |
| 100+ | 0,455 $ |
| 250+ | 0,402 $ |
| 500+ | 0,348 $ |
| 1000+ | 0,313 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1021R-T1-GE3
Code Commande69W7170
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
On Resistance Rds(on)8ohm
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd250mW
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOT-416
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI1021R-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- P-channel 60V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- Low on-resistance of 4ohm
- Low threshold of - 2V (typ)
- Fast switching speed of 20ns (typ)
- Low input capacitance of 20pF (typ)
- Miniature package
- 2KV ESD protected
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
250mW
Transistor Case Style
SOT-416
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
Drain Source On State Resistance
4ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit