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11 030 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,841 $ |
10+ | 0,718 $ |
25+ | 0,684 $ |
50+ | 0,650 $ |
100+ | 0,616 $ |
250+ | 0,581 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,20 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1022R-T1-GE3
Code Commande48W6775
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id330mA
On Resistance Rds(on)1.25ohm
Drain Source On State Resistance1.25ohm
Transistor Case StyleSC-75A
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd250mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
1.25ohm
Transistor Case Style
SC-75A
Power Dissipation Pd
250mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
330mA
Drain Source On State Resistance
1.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1022R-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits