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SI1302DL-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 640 mA, 0.48 ohm, SC-70, Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1302DL-T1-E3
Code Commande65K1914
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id640mA
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Drain Source On State Resistance0.48ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd310mW
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation310mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The SI1302DL-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
310mW
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
640mA
Drain Source On State Resistance
0.48ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation
310mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit