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SI1308EDL-T1-BE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SC-70, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1308EDL-T1-BE3
Code Commande36AJ8049
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
1 451 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,612 $ |
| 10+ | 0,384 $ |
| 25+ | 0,342 $ |
| 50+ | 0,299 $ |
| 100+ | 0,258 $ |
| 250+ | 0,248 $ |
| 500+ | 0,237 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,61 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1308EDL-T1-BE3
Code Commande36AJ8049
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produits de remplacement pour SI1308EDL-T1-BE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits