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78 762 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,698 $ |
| 10+ | 0,508 $ |
| 25+ | 0,449 $ |
| 50+ | 0,390 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1308EDL-T1-GE3
Code Commande62W0529
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd500mW
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI1308EDL-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits