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SI1317DL-T1-GE3
MOSFET, P CHANNEL, W/D, 20V, 1.4A, SOT323
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1317DL-T1-GE3
Code Commande64T4051
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Fiche technique
25 233 En Stock
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1317DL-T1-GE3
Code Commande64T4051
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.125ohm
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.125ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits