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SI1401EDH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1401EDH-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète86R3831
Bandes découpées69W7175
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,331 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,271 $ |
| 5000+ | 0,257 $ |
| 10000+ | 0,224 $ |
| 20000+ | 0,199 $ |
| 30000+ | 0,184 $ |
| 50000+ | 0,168 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1401EDH-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète86R3831
Bandes découpées69W7175
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
1.5V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1401EDH-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit