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2 830 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
| 10+ | 1,060 $ |
| 25+ | 1,010 $ |
| 50+ | 0,958 $ |
| 100+ | 0,911 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,10 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1411DH-T1-GE3
Code Commande57AJ0424
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id420mA
Drain Source On State Resistance2.05ohm
On Resistance Rds(on)2.05ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1W
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
2.05ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
420mA
On Resistance Rds(on)
2.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1411DH-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits