Imprimer la page
SI1425DH-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 3A, SOT-363 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1425DH-T1-GE3
Code Commande22AM2339
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
3 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,608 $ |
| 10+ | 0,541 $ |
| 25+ | 0,481 $ |
| 50+ | 0,410 $ |
| 100+ | 0,352 $ |
| 250+ | 0,305 $ |
| 500+ | 0,262 $ |
| 1000+ | 0,224 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,04 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1425DH-T1-GE3
Code Commande22AM2339
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits