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SI1967DH-T1-E3
DUAL N-CH SC-70-6 SOT-363 20V 490MOH
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1967DH-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande11AN9249
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,130 $ |
| 10+ | 0,553 $ |
| 15+ | 0,539 $ |
| 25+ | 0,525 $ |
| 50+ | 0,510 $ |
| 125+ | 0,496 $ |
| 250+ | 0,487 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
5,65 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1967DH-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande11AN9249
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeDual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.64ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.64ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour SI1967DH-T1-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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