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488 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,932 $ |
| 10+ | 0,694 $ |
| 25+ | 0,627 $ |
| 50+ | 0,562 $ |
| 100+ | 0,495 $ |
| 250+ | 0,445 $ |
| 500+ | 0,394 $ |
| 1000+ | 0,360 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2303CDS-T1-E3
Code Commande57AJ0429
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.158ohm
On Resistance Rds(on)0.158ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.3W
Power Dissipation Pd2.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.158ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.158ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2303CDS-T1-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits