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SI2303CDS-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -2.7 A, -30 V, 0.158 ohm, -10 V, -3 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
18 537 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,993 $ |
| 10+ | 0,780 $ |
| 25+ | 0,715 $ |
| 50+ | 0,650 $ |
| 100+ | 0,584 $ |
| 250+ | 0,534 $ |
| 500+ | 0,483 $ |
| 1000+ | 0,441 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,96 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2303CDS-T1-GE3
Code Commande23T8494
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
On Resistance Rds(on)0.158ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.3W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
2.3W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.158ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits