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SI2304DDS-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.049 ohm, TO-236, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,189 $ |
| 6000+ | 0,185 $ |
| 12000+ | 0,174 $ |
| 18000+ | 0,171 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
567,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2304DDS-T1-GE3.
Code Commande26AC3313
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.049ohm
Drain Source On State Resistance0.049ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.1W
Transistor Case StyleTO-236
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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