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SI2305CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 5.8 A, 35 mohm, SOT-23, Surface Mount
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| 10+ | 0,059 $ |
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| 500+ | 0,059 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2305CDS-T1-GE3
Code Commande55R1909
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2305CDS-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The SI2305CDS-T1-GE3 is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits