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SI2307CDS-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 0.088 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2307CDS-T1-BE3
Code Commande82AH6201
Gamme de produitTrenchFET Si2307CDS Series
Fiche technique
2 449 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,170 $ |
| 10+ | 0,170 $ |
| 25+ | 0,170 $ |
| 50+ | 0,170 $ |
| 100+ | 0,170 $ |
| 250+ | 0,170 $ |
| 500+ | 0,170 $ |
| 1000+ | 0,170 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,17 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2307CDS-T1-BE3
Code Commande82AH6201
Gamme de produitTrenchFET Si2307CDS Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.5A
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Drain Source On State Resistance0.088ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.8W
Power Dissipation Pd1.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Si2307CDS Series
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.8W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Drain Source On State Resistance
0.088ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Si2307CDS Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits