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SI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2.7 A, 0.088 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2307CDS-T1-GE3
Code Commande55R1910
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.7A
Drain Source On State Resistance0.088ohm
On Resistance Rds(on)0.073ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.1W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2307CDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.088ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.7A
On Resistance Rds(on)
0.073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.1W
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits