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SI2308BDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,352 $ |
| 5000+ | 0,345 $ |
| 10000+ | 0,325 $ |
| 20000+ | 0,307 $ |
| 30000+ | 0,291 $ |
| 50000+ | 0,282 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 056,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2308BDS-T1-E3
Code Commande33P5172
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.66W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.66W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Power Dissipation Pd
1.66W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.66W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit