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SI2309CDS-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,313 $ |
| 6000+ | 0,299 $ |
| 12000+ | 0,287 $ |
| 18000+ | 0,281 $ |
| 30000+ | 0,278 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
939,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2309CDS-T1-GE3.
Code Commande28AC2125
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.285ohm
On Resistance Rds(on)0.285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
On Resistance Rds(on)
0.285ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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