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SI2309CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.6 A, 0.345 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2309CDS-T1-GE3
Code Commande69W7188
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
On Resistance Rds(on)0.36ohm
Drain Source On State Resistance0.345ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI2309CDS-T1-GE3 is a P-Channel 60V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on TrenchFET® power MOSFET technology.
- Halogen-free
Applications
Audio, Signal Processing
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.36ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Drain Source On State Resistance
0.345ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits