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SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 40V, 3.6A, SOT-23
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319DDS-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine78AC6536
Bandes découpées78AC6536
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
27 447 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,150 $ |
| 10+ | 0,744 $ |
| 25+ | 0,669 $ |
| 50+ | 0,593 $ |
| 100+ | 0,517 $ |
| 250+ | 0,469 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319DDS-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine78AC6536
Bandes découpées78AC6536
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.062ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.062ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI2319DDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits