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2 890 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,719 $ |
| 10+ | 0,601 $ |
| 25+ | 0,581 $ |
| 50+ | 0,562 $ |
| 100+ | 0,543 $ |
| 250+ | 0,537 $ |
| 500+ | 0,530 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
3,59 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2324DS-T1-GE3
Code Commande57AJ0430
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.3A
On Resistance Rds(on)0.195ohm
Drain Source On State Resistance0.234ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation2.5W
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.195ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source On State Resistance
0.234ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2324DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits