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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2329DS-T1-GE3
Code Commande63W4143
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 8V, 6A P-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Low on-resistance
- Suitable for load switch and low voltage gate drive
- Also used in battery management in portable equipment
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit