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SI2333CDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 7.1 A, 35 mohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,474 $ |
| 5000+ | 0,464 $ |
| 10000+ | 0,430 $ |
| 20000+ | 0,403 $ |
| 30000+ | 0,377 $ |
| 50000+ | 0,361 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 422,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2333CDS-T1-E3
Code Commande33P5183
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id7.1A
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.1A
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2333CDS-T1-E3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit