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SI2336DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.2 A, 42 mohm, SOT-23, Surface Mount
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| 1000+ | 0,356 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2336DS-T1-GE3
Code Commande23T8500
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance42mohm
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2336DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- N-channel 30V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- Used in DC/DC converters, boost converters
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit