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SI2337DS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2337DS-T1-E3
Code Commande21M8886
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.216ohm
Drain Source On State Resistance0.216ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleTO-236
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI2337DS-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.216ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.216ohm
Rds(on) Test Voltage
6V
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits