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SI2356DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 4.3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,601 $ |
| 25+ | 0,347 $ |
| 50+ | 0,308 $ |
| 100+ | 0,268 $ |
| 250+ | 0,257 $ |
| 500+ | 0,244 $ |
| 1000+ | 0,219 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2356DS-T1-GE3
Code Commande05AC7747
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.3A
On Resistance Rds(on)0.042ohm
Drain Source On State Resistance0.051ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The SI2356DS-T1-GE3 from Vishay is a 40V SMD Power MOSFET, N Channel transistor in a SOT 23 case. Suitable for DC / DC converter, load switches, LED backlighting and power management applications.
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Drain Source On State Resistance
0.051ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2356DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits