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SI2366DS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 5.8A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,303 $ |
| 6000+ | 0,292 $ |
| 12000+ | 0,284 $ |
| 18000+ | 0,280 $ |
| 30000+ | 0,278 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
909,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2366DS-T1-GE3
Code Commande86AK6270
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits